wtmarket.ru

Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 SODIMM CL17 32921

ОсновныеНабор1 модульОбщий объем16 ГБТипDDR4 SO-DIMMECCНетЧастота2400 МГцPC-индексPC4-19200CAS Latency17TНапряжение питания1.2 В Технические характеристикиКоличество ранков1Тип микросхем2Gx8Профили XMPНетПрофили AMPНет КонструкцияОхлаждениеНетНизкопрофильный модульНетПодсветка элементов платыНетЦветчерный

Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 SODIMM CL17 32921

Модуль оперативной памяти Qumo SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-19200 2400MHz 1.2V, CL17, QUM4S-16G2400N17

Оперативная память GeIL 16 ГБ DDR4 SODIMM CL17 GS416GB2400C17SC

Общие характеристикиТип памяти DDR4Форм-фактор SODIMM 260-контактныйТактовая частота 2400 МГцПропускная способность 19200 МБ/сОбъем 1 модуль 16 ГБПоддержка ECC нетПоддержка XMP нетБуферизованная (Registered) нетНизкопрофильная (Low Profile) нетТаймингиCAS Latency (CL) 17RAS to CAS Delay (tRCD) 17Row Precharge Delay (tRP) 17Activate to Precharge Delay (tRAS) 39ДополнительноНапряжение питания 1.2 В

Оперативная память GeIL 16 ГБ DDR4 SODIMM CL17 GS416GB2400C17SC

ХарактеристикиЕмкость одного модуля: 16 ГБТип памяти: DDR4Тактовая частота, МГц: 2400Количество модулей в комплекте: 1Заводские данныеПропускная способность, Мб/с: 19200CAS Latency (CL): 17 тактовТайминги: 17-17-17Напряжение питания, В: 1.2ОбщиеФорм-фактор RAM: SO-DIMMБренд: GeILСтрана-изготовитель: Китай

Оперативная память Silicon Power 8GB 2400МГц DDR4 CL17 SODIMM 1Gx8 SR SP008GBSFU240B02

Оперативная память Silicon Power 8GB 2400МГц DDR4 CL17 SODIMM 1Gx8 SR SP008GBSFU240B02

Оперативная память KingSpec DDR4 SODIMM CL17

Модуль оперативной памяти KingSpec SO-DIMM DDR4 4ГБ PC4-21300 2666MHz 1.2V, CL17, KS2666D4N12004G

Оперативная память KingSpec DDR4 SODIMM CL17

Модель KS2666D4N12004G Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.35В Бренд KINGSPEC PartNumber/Артикул Производителя KS2666D4N12004G Размер (модули памяти) 4096/2666 Вес упаковки (ед) 0.008 Тип памяти DDR4 Объем 4096 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6950509911618 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png) no-repeat; background-position: 0px 12px; background-repeat: repeat-x; width:50%; border-bottom-width: 0px; } . adpar_property_list td span { bottom: 1px; } . adpar_property_list td. property_name{ width: 30%; } . adpar_property_list td. property_value{ width: 70%; } . adpar_property_list td. property_value span { padding: 0px 0px 0px 10px; } . adpar_property_list td { text-align: right; padding: 2px 0px 2px 10px; font-size: 12px; border-bottom: 1px dotted #c3c3c3; } . adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > . txt { position: relative; bottom: -11px; background: #FFF; padding: 0px 0px 0px 10px; display: inline-block; } . adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; } . adpar_property_list tr td: first-child > span, . adpar_property_list tr td: first-child > . txt { padding-right: 12px; position: relative; } . adpar_property_list tr td: first-child > span.whint { padding-right: 32px; } . adpar_property_list tr td: first-child > span: before, . adpar_property_list tr td: first-child > . txt: before { content: '; display: block; position: absolute; background: #ddd; left: 1px; top: 10px; width: 2px; height: 2px; } . adpar_property_list tr td: first-child > . txt: before { top: 9px; width: 3px; height: 3px; }

Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 SODIMM CL22 QUM4S-16G3200P22

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.03 GTD Number 10005030/220622/3175027 GTIN 04895230602300 Cтрана-производитель китай Партномер QUM4S-16G3200P22 RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.5 Габариты (мм) - гарантия 2 года длина(см) 10 Дополнительная информация - Количество контактов 260 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле Односторонняя Линейка - масса(кг) 0.03 Модель QUM4S-16G3200P22 Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная Нет Нормальная операционная температура (Tcase) - Общий объем памяти (ГБ) 16 Объем одного модуля (ГБ) 16 Описание Память QUM4S-16G3200P22 от производителя QUMO Поддержка ECC Нет Поддержка Reg Нет Поддержка водяного охлаждения Нет Подсветка Нет Потребление энергии - Производитель Qumo Пропускная способность (МБ/с) 25600 Радиатор Нет Расширенная операционная температура (Tcase) - Тайминги 22 Тип модуля SO-DIMM Тип оборудования Оперативная память Цвет разноцветный Частота (MHz) DDR4 - 3200 Чип 1Gb x 8-bit ширина(см) 5 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-a…

Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 SODIMM CL22 QUM4S-16G3200P22

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 16 Гб x 1 шт. PC4-25600 (DDR4 3200 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)

Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 CT8G4SFS824A

Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 CT8G4SFS824A - это высококачественный модуль памяти, который обеспечивает высокую производительность и стабильность работы вашего ноутбука или компьютера.Оперативная память Crucial оснащена технологией DDR4, которая обеспечивает более высокую скорость передачи данных и меньшее энергопотребление по сравнению с DDR3. Тактовая частота составляет 2400 МГц, что гарантирует быструю и плавную работу системы.Модуль памяти имеет форм-фактор SODIMM, что позволяет устанавливать его в ноутбуки и ультрабуки.Crucial 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 CT8G4SFS824A имеет объем одного модуля 8 ГБ, что позволяет увеличить производительность системы и обрабатывать больше задач одновременно.Напряжение питания составляет 1.2 В, что делает модуль памяти энергоэффективным и безопасным для использования.В комплекте поставляется один модуль памяти, что позволяет вам выбрать подходящий объем и количество модулей для вашего устройства.Особенности оперативной памяти Crucial включают низкопрофильную конструкцию (Low Profile) и Unregistered, что делает ее подходящей для различных моделей ноутбуков и компьютеров.Выбирая оперативную память Crucial 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 CT8G4SFS824A, вы получаете надежный и качественный продукт, который обеспечит стабильную работу вашего устройства и улучшит его производительность.

Оперативная память Silicon Power 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17

Бренд: SILICON POWERТип памяти: DDR4Частотная спецификация: 2400Количество в упаковке: 1Тип поставки: RetФорм-фактор: SO-DIMMБуферизация: unbufferedКоличество контактов: 260-pinПоказатель скорости: PC3-19200Скорость (тест): 2400МГцНапряжение (тест): 1.2ВЛатентность: CL17PartNumber/Артикул Производителя: SP016GBSFU240B02Модель: SP016GBSFU240B02Количество рангов (Ranks): dual rankОбъем: 16384МБСсылка на сайт поставщика/вендора: https://www. silicon-power. com/web/by/product-DDR4SODIMM

Оперативная память Silicon Power 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17

Память DDR4 16Gb 2400MHz Silicon Power SP016GBSFU240B02 RTL PC3-19200 CL17 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank

Оперативная память Kingston 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 KVR24S17S8/16

Категория: комплектующие для ноутбуков.Тип памяти: DDR4. Тип исполнения: для ноутбука SO-DIMM. Частота: 2400мГц (PC-19200). Объем: 16 Гб. Номинальное напряжение: 1,2 В.

Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43CB1-CRC

Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4 - временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ. P/N M471A2K43CB1-CRCCL17 17-17-17-39

Оперативная память neoforza 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 NMSO416E82-2400EA10

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 16 Гб x 1 шт. PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles) Напряжение: 1.2 В (DDR4)

Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43CB1-CRC