оперативная память samsung 128 гб ddr4 2933 мгц lrdimm cl21 m386aag40mmb cvf
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386AAG40MMB-CVF
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 128Gb; Объем одного модуля памяти: 128Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered; Код вендора: M386AAG40MMB-CVFCO; Тайминги: 21-21-21; Латентность: CL21; Питание: 1.2 В; Охлаждение: Нет; Прочие особенности и свойства: да
79989 Р.
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail
4560 Р.
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A4G40AB3-CVF
Оперативная память Samsung M393B5170FH0-CH9Технические характеристикиПроизводитель SamsungТип DDR3 ECC RegisteredОбъем памяти, Мб 4096Форм-фактор DIMMТактовая частота, МГц 1333Пропускная способность, Мб/сек 10600Количество контактов 240Радиатор нет
9500 Р.
Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 16 ГБ DDR4 DIMM CL21 P00922-B21
Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 P00922-B21
15990 Р.
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR3L 2933 МГц LRDIMM CL21 M386A8K40CM2-CVFBY
объем памяти: 64 ГБ тип: DDR4 LRDIMM 288-pin тактовая частота: 2933 МГц тайминги: 21-21-21-32 напряжение питания: 1.2 В
68365 Р.
Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 128 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 P11040-B21
Оперативная память HPE 128GB DDR4 LRDIMM 2933MHz, P11040-B21 доступна для заказа. Bouz Group предлагает к поставке модуль памяти P11040-B21 по самой низкой цене. Вы можете купить оперативную память P11040-B21 с доставкой во все регионы. Характеристики: Тип памяти: LRDIMM DDR4Объем одного модуля: 128ГбТактовая частота: 2933МГцНапряжение питания: 1.2ВКоличество ранков: 8CAS Latency CL: 21RAS to CAS Delay, tRCD: 21Row Precharge Delay, tRP: 21
137332 Р.
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 RDIMM CL21 M393A4K40DB2-CVF
ХарактеристикиПроизводительSamsungМодельM393A4K40DB2ПрименениеДля сервераТип памятиRDIMM DDR4Спецификация памятиREGЧастота модуля (МГц)2933МГцПропускная споособность модуля памяти(Мб/сек)23400Мб/секОбъём модуля памяти (ГБ)32ГБРанговость модуля памятиD4 (2Rx4)Напряжение питания модуля памяти1.2VКоличество модулей в комплекте1Высота упаковки (мм)130ммДлина упаковки (мм)30ммШирина упаковки (мм)7ммВес брутто (кг)0.05кг
8322 Р.
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 RDIMM CL21 M393A4K40DB2-CVF
Модуль памяти Registered DDR4 32 Гб x 1 шт. PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
12732 Р.
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 3200 МГц LRDIMM CL21 M386A8K40DM2-CWEZY
Гарантия1 год Основные характеристики ПроизводительSamsung МодельM386A8K40DM2-CWE Тип оборудованияОперативная память Частота MHzDDR3 - 3200 Тип модуляDIMM Объем одного модуля ГБ64 Количество модулей в комплекте шт1 Общий объем памяти ГБ64 Пропускная способность МБ/с25600 Поддержка ECCЕсть Поддержка RegЕсть Количество чипов на модуле Количество контактов288 Тайминги CAS Latency CL22 Activate to Precharge Delay tRAS Тайминги22 Дополнительные характеристики ЦветКомбинированный Напряжение В1.2 Нормальная операционная температура Tcase75 °C Расширенная операционная температура Tcase85 °C
17258 Р.
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 3200 МГц LRDIMM CL21 M386A8K40DM2-CWEZY
Модуль памяти LRDIMM DDR4 64 Гб x 1 шт. PC4-25600 (DDR4 3200 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
22030 Р.
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB2-CVF
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered; Registered: да; Поддержка ECC: да; P\\N: M393A2K40DB2-CVFBY; Тайминги: 21-21-21; Латентность: CL21; Питание: 1.2 В; Охлаждение: Нет; Поставка: Retail; Количество планок: Одна; Назначение: Для компьютера; Форм-фактор: DIMM; Тактовая частота, МГц: 2933; Объем одного модуля памяти: 16; Тип упаковки *: Retail; Тип памяти: 288-pin 1.2В DDR4 DIMM; Стандарт памяти: pc4-23400; Объем: 16; Частота работы: 2933; Пропускная способность: 23400; Латентность: CL21; Тайминги: 21-21-21; Проверка и коррекция ошибок: Присутствует; Буферизация: Присутствует; Напряжение питания: 1.2; Тип памяти: DDR4; Наличие радиатора (Heatsink): Нет; Подсветка: Отсутствует
12489 Р.
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 DIMM CL21 M393A8G40MB2-CVFBY
Серверная оперативная память Samsung (M393A8G40MB2-CVF) емкостью 64 ГБ представляет собой высокопроизводительное решение для использования в серверном оборудовании различного класса, а также настольных рабочих станциях. Данная модель выполнена в форм-факторе DIMM и соответствует типу DDR4 с поддержкой ECC и регистра, что положительно влияет на отказоустойчивость и производительность. Тактовая частота модуля памяти составляет 2933 МГц, что вместе с пропускной способностью PC23400 и хорошими показателями таймингов обеспечивает хорошее быстродействие при выполнении любых задач.Серверная оперативная память Samsung (M393A8G40MB2-CVF) изготовлена с применением качественных компонентов, обеспечивающих высокую надежность. Высота модуля не превышает 31.25 мм. Благодаря продуманной конструкции обеспечивается быстрая и удобная установка. Оперативная память поставляется поштучно. Для достижения наилучших показателей производительности рекомендуется использовать парное количество идентичных модулей.
16400 Р.
Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21
Производитель Qumo Модель QUM4U-16G2933N21 Тип памяти DDR4 Форм-фактор U-DIMM 288-контактный Количество модулей в комплекте 1 шт Общий объем памяти 16 ГБ Скорость, рабочая частота 2933 МГц Латентность CL21 Тип чипа 2G х 8 Rank Single Rank Стандарт PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Пропускная способность 23400 МБ/с Количество контактов 288 Напряжение питания 1,2 В Нормальная операционная температура Tcase 85 Расширенная операционная температура Tcase 95 Поддержка ECC Нет Буферизованная (Registered) Нет Низкопрофильная (Low Profile) Нет Гарантия пожизненная
3800 Р.
Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21
Производитель Qumo Модель QUM4U-16G2933N21 Тип памяти DDR4 Форм-фактор U-DIMM 288-контактный Количество модулей в комплекте 1 шт Общий объем памяти 16 ГБ Скорость, рабочая частота 2933 МГц Латентность CL21 Тип чипа 2G х 8 Rank Single Rank Стандарт PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Пропускная способность 23400 МБ/с Количество контактов 288 Напряжение питания 1,2 В Нормальная операционная температура Tcase 85 Расширенная операционная температура Tcase 95 Поддержка ECC Нет Буферизованная (Registered) Нет Низкопрофильная (Low Profile) Нет Гарантия пожизненная
4145 Р.
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 LRDIMM CL22 M386AAG40AM3-CWEZY
D_HEIGHT 5.5 D_LENGTH 21 D_WIDTH 32.2 EANUPCCode 254293302 Error-correcting code (ECC) Да Буферизованная (Registered) Да Объем, ГБ 128 GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png) no-repeat; background-position: 0px 12px; background-repeat: repeat-x; width:50%; border-bottom-width: 0px; } . adpar_property_list td span { bottom: 1px; } . adpar_property_list td. property_name{ width: 30%; } . adpar_property_list td. property_value{ width: 70%; } . adpar_property_list td. property_value span { padding: 0px 0px 0px 10px; } . adpar_property_list td { text-align: right; padding: 2px 0px 2px 10px; font-size: 12px; border-bottom: 1px dotted #c3c3c3; } . adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > . txt { position: relative; bottom: -11px; background: #FFF; padding: 0px 0px 0px 10px; display: inline-block; } . adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; } . adpar_property_list tr td: first-child > span, . adpar_property_list tr td: first-child > . txt { padding-right: 12px; position: relative; } . adpar_property_list tr td: first-child > span.whint { padding-right: 32px; } . adpar_property_list tr td: first-child > span: before, . adpar_property_list tr td: first-child > . txt: before { content: '; display: block; position: absolute; background: #ddd; left: 1px; top: 10px; width: 2px; height: 2px; } . adpar_property_list tr td: first-child > . txt: before { top: 9px; width: 3px; height: 3px; }
94463 Р.
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 LRDIMM CL22 M386AAG40AM3-CWEZY
Модуль памяти LRDIMM DDR4 128 Гб x 1 шт. PC4-25600 (DDR4 3200 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
68979 Р.